SRAM （MOS型静态存储器）_元器件产品_深圳市昱创芯城电子有限公司

企业信息

深圳市昱创芯城电子有限公司

卖家积分： 8001分-9000分

营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

企业网站：
www.szycxc.cn

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企业档案

认证现货(100)

优势库存(758)

普通库存(80000)

集成电路(IC)(115)

电源IC(116)

半导体存储器(160)

二极管(23)

三极管(55)

场效应管MOSFET(42)

单片机(26)

>单片机MCU(26)

电位器(1)

>其他电位器(1)

电源/稳压器(20)

元器件产品

供应K4E6E304EC-AGCF存储IC

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4E6E304EC-AGCF 封装:BGA178 批次:21+ 包装:托盘工作电压:1.2V 存储器容量:512*32 商品类目:DDR

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联系人：李阳/梁汉权/王倩/陈定利

电话：0755-23300413/0755-23576202/0755-3300412/0755-23576202

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供应K4E6E304EE-EGCF储存芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4E6E304EE-EGCF 封装:BGA178 批次:21+ 包装:托盘工作电压:1.2V 存储器容量:512*32 商品类目:DDR

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供应K4E6E304EC-EGCG存储IC

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4E6E304EC-EGCG 封装:BGA178 批次:21+ 包装:托盘工作电压:1.2V 存储器容量:512*32 商品类目:DDR

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K4EHE304EC-AGCF存储芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4EHE304EC-AGCF 封装:BGA168 批次:21+ 包装:托盘工作电压:1.2V 存储器容量:768*32 商品类目:LPDDR3

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供应K3QF3F30BM-AGCF存储芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K3QF3F30BM-AGCF 封装:FBGA-253 批次:21+ 包装:托盘工作电压:1.2V 存储器容量:256*64 商品类目:LPDDR3

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供应K4EBE304EC-AGCF存储IC

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4EBE304EC-AGCF 封装:BGA168 批次:21+ 包装:托盘工作电压:1.2V 存储器容量:1024*32 商品类目:LPDDR3

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原装三星品牌K4E8E324EB-EGCF存储芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4E8E324EB-EGCF 封装:FBGA-178 包装:托盘商品目录:DDR SDRAM 工作电压:1.2V 容量:256*32 批次:21+

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供应K4E8E304EE-EGCE存储

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4E8E304EE-EGCE 封装:BGA178 批次:21+ 包装:托盘工作电压:1.2V 存储器容量:256*32 商品类目:LPDDR3

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供应K4E6E304EB-EGCF储存IC

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4E6E304EB-EGCF 封装:BGA178 批次:21+ 包装:托盘工作电压:1.2V 商品类目:LPDDR3 储存容量:512*32

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供应K4T1G084QF-BCE7存储芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4T1G084QF-BCE7 封装:BGA60 批次:21+ 包装:托盘工作电压:1.8V 容量:128*8

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三星品牌K4T1G164QQ-HCE6热门存储

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4T1G164QQ-HCE6 封装:BGA84 批次:21+ 电压:1.8V 容量:64*16

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供应K4T1G1646QG-BCE7存储IC

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4T1G1646QG-BCE7 封装:BGA84 批次:21+ 包装:托盘工作电压:1.8V 容量:64*16

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供应K4T1G164QJ-BCE7存储

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4T1G164QJ-BCE7 封装:BGA84 批次:21+ 包装:托盘工作电压:1.8V 存储器容量:64*16 商品类目:DDR

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包邮现货H5TQ4G63AFR-H9存储芯片

品牌:HYNIX海力士型号:H5TQ4G63AFR-H9 封装:BGA96 批次:21+ 包装:托盘工作电压:1.5V

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