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供应IRFR7446TRPBF场效应管

型号/规格:IRFR7446TRPBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率 栅极电压Vgs:±20V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) Pd-功率耗散(Max):98W(Tc) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:120A

供应IRFB7534PBF 场效应管(MOSFET)

型号/规格:IRFB7534PBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:中功率 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):232A 功率(Pd):294W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,100A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.7V@250uA

供应IRFB260NPBF场效应管

型号/规格:IRFB260NPBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):56A 功率(Pd):380W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,34A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA

供应IRFS7534TRLPBF 场效应管(MOSFET)

型号/规格:IRFS7534TRLPBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率 商品目录:通用MOSFET 封装:TO-263

热门供应IRFP26N60LPBF

型号/规格:IRFP26N60LPBF 品牌/商标:VISHAY(威世) 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率 漏源极电压Vds:600V 工作温度:-55℃~150℃ Vgs(最大值):±30V Pd-功率耗散(Max):470W(Tc)

供应IRFP460APBF 场效应管

型号/规格:IRFP460APBF 品牌/商标:VISHAY(威世) 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:中功率 商品目录:通用MOSFET 连续漏极电流Id:26A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±30V Rds On(Max)@Id,Vgs:250 mOhms @ 16A,10V Vgs(th):5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):470W(Tc) 工作温度:-55℃~150℃

热销产品供应IRF7416TRPBF场效应管MOSFET

型号/规格:IRF7416TRPBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 连续漏极电流Id:10A 漏源极电压Vds:30V

供应BF998E6327场效应管(MOSFET)

型号/规格:BF998E6327 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOT-143 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:中功率 工作温度:-55°C ~ 150°C 栅极电压Vgs:8Vto12V 功率:1/5W 漏源极电压Vds:12V

供应BF999E6327小信号MOSFET

型号/规格:BF999E6327 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOT23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率

供应IRF7341TRPBF 场效应管(MOSFET)

型号/规格:IRF7341TRPBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOP8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 漏源电压(Vdss):- 连续漏极电流(Id):- 功率(Pd):- 反向传输电容(Crss@Vds):- 输入电容(Ciss@Vds):- 栅极电荷(Qg@Vgs):- 阈值电压(Vgs(th)@Id):-

NTMD6N03R2G ON安森美 晶体管 MOSFET

型号/规格:NTMD6N03R2G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:8-SOIC 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: FET 类型:2 N-通道（双） FET 功能:逻辑电平门 漏源电压:30V 25°C 时电流:6A 功率:1.29W 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:2500pcs

NCP81071BZR2G ON安森美 栅极MOSFET驱动器

型号/规格:NCP81071BZR2G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:8-MSOP 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 驱动配置:低端 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 供电:4.5V ~ 20V 逻辑电压 - VIL，VIH:1.2V，1.8V 上升/下降时间:8ns，8ns 工作温度:-40°C ~ 140°C 包装数量:3000pcs

FW297-TL-2W ON安森美IC 晶体管MOSFET

型号/规格:FW297-TL-2W 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:8-SOIC 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: FET 类型:2 N-通道（双） FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源电压:60V 功率:1.8W 工作温度:150°C（TJ） 包装数量:2500pcs

FDV303N ON安森美IC 晶体管 单体 MOSFET

型号/规格:FDV303N 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-23-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: FET 类型:N 通道 驱动电压:2.7V，4.5V 漏源电压:25 V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:3000pcs

FDMS86181 ON安森美IC 晶体管 单体 MOSFET

型号/规格:FDMS86181 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:8-PQFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: FET 类型:N 通道 驱动电压:6V，10V 漏源电压:100V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:3000pcs

FDMS86300 ON安森美IC 晶体管 单体 MOSFET

型号/规格:FDMS86300 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:8-PQFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: FET 类型:N 通道 驱动电压:8V，10V 漏源电压:80 V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:3000pcs

FDMS0300S ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:FDMS0300S 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:8-PQFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 通道 驱动电压:4.5V，10V 漏源电压:30V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:3000pcs

FDMS8090 ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:FDMS8090 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:8-PowerWDFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:2 N-通道（双） FET 功能:逻辑电平门 漏源电压:100V 功率:2.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:3000pcs

FDG8842CZ ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:FDG8842CZ 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:6-TSSOP 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 和 P 沟道 漏源电压:30V 25V 功率:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C FET 功能:逻辑电平门 包装数量:3000pcs

FDMC86261P ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:FDMC86261P 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:8-PowerWDFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:P通道 漏源电压:150V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:3000pcs

FDD5810-F085 ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:FDD5810-F085 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 通道 漏源电压:60V 工作温度:-55°C ~ 175°C 包装数量:2500pcs

FDD86581-F085 ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:FDD86581-F085 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 通道 漏源电压:60V 工作温度:-55°C ~ 175°C 包装数量:2500pcs

FDD306P ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:FDD306P 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:P通道 漏源电压:12V 工作温度:-55°C ~ 175°C 包装数量:2500pcs

FAN3224CMX ON安森美IC 低端栅极驱动器

型号/规格:FAN3224CMX 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:8-SOIC 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 供电:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 包装数量:2500pcs

FDG6317NZ ON安森美IC 晶体管 2N通道MOSFET

型号/规格:FDG6317NZ 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SC-70-6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:2 N-通道（双） 漏源电压:20V 温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:3000pcs

FCMT125N65S3 ON安森美IC 晶体管MOSFET

型号/规格:FCMT125N65S3 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:4-PQFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N通道 漏源电压:650V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:3000pcs

FDBL0260N100 ON安森美IC 晶体管FET MOSFET

型号/规格:FDBL0260N100 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:8-HPSOF 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N通道 驱动电压:10V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:2000pcs

FDD3510H ON安森美IC 晶体管FET MOSFET

型号/规格:FDD3510H 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-252-5 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 和 P 沟道，共漏 漏源电压:80V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:2500pcs

FDD770N15A ON安森美IC 晶体管FET MOSFET

型号/规格:FDD770N15A 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N通道 漏源电压:150V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:2500pcs

FDD86540 ON安森美IC 晶体管 N 通道MOSFET

型号/规格:FDD86540 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 通道 漏源电压:60V 温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:2500pcs

FDD8874 ON安森美IC 晶体管 单个 MOSFET

型号/规格:FDD8874 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 通道 漏源电压:30V 温度:-55°C ~ 175°C 包装数量:2500pcs

FCD7N60TM ON安森美IC N通道MOSFET

型号/规格:FCD7N60TM 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 通道 漏源电压:600V 温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:2500pcs

FCMT125N65S3 ON安森美IC N通道MOSFET

型号/规格:FCMT125N65S3 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:4-PQFN（8x8） 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 通道 漏源电压:650V 温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:3000pcs

FCD380N60E ON安森美IC N沟道MOSFET

型号/规格:FCD380N60E 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 通道 漏源电压:600V 温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:2500pcs

CPH6350-TL-W ON安森美 晶体管 MOSFET

型号/规格:CPH6350-TL-W 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:CPH6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 产品尺寸:2.9 x 1.6 x 0.9 工作温度:-55 至 150°C 封装:CPH6 包装数量:3000pcs

CPH6347-TL-W ON安森美 晶体管 MOSFET

型号/规格:CPH6347-TL-W 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:CPH6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 产品尺寸:2.9 x 1.6 x 0.9 工作温度:-55 至 150°C 封装:CPH6 包装数量:3000pcs

EFC4612R-S-TR ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:EFC4612R-S-TR 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:4-XFBGA 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 温度:150°C（TJ） 年份:20+ 包装数量:5000pcs

ECH8697R-TL-W ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:ECH8697R-TL-W 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-28FL 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 温度:150°C（TJ） 年份:20+ 包装数量:3000pcs FET 类型:2 N 沟道（双）共漏