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深圳市昱创芯城电子有限公司
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供应LP2985AIM5-3.3/NOPB 稳压器 - 线性 IC
型号/规格:LP2985AIM5-3.3/NOPB 品牌/商标:TI(德州仪器） 封装:SOT23-5 批号:21+ 工作温度:-40°C ~ 125°C SPQ:3000PCS
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供应LP38690DTX-3.3/NOPB稳压器IC- 线性
型号/规格:LP38690DTX-3.3/NOPB 品牌/商标:TI(德州仪器） 封装:TO-252-3 批号:20+
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供应MAX3232EIPWR 收发器 2/2 RS232
型号/规格:MAX3232EIPWR 品牌/商标:TI(德州仪器） 封装:TSSOP-16 批号:20+
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供应OPA2376AIDGKR 通用 放大器
型号/规格:OPA2376AIDGKR 品牌/商标:TI(德州仪器) 封装:VSSOP-8 批号:21+
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供应TPS3897ADRYR 监控器IC
型号/规格:TPS3897ADRYR 品牌/商标:TI(德州仪器） 封装:SON-6 批号:21+
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供应TS12A12511DCNR 1 电路 IC 开关
型号/规格:TS12A12511DCNR 品牌/商标:TI(德州仪器） 封装:SOT-23-8 批号:20+
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SN65HVD72DR Ti接口IC RS-485收发器 3.3V
型号/规格:SN65HVD72DR 品牌/商标:TI（德州仪器） 封装:SOIC-8 批号:20+ 电压:3.3V 封装尺寸:4.91mm*3.90mm 温度:-40°C 至 125°C 包装数量:2500pcs
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K4B4G1646D-BYK0 DDR3存储 原装现货
型号:K4B4G1646D-BYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:4Gb 架构:256*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS
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K4B4G0846E-BYMA DDR3存储 原装现货
型号:K4B4G0846E-BYMA 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:4Gb 架构:512*8 封装:FBGA78 工厂包装数量:1120PCS
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K4B4G0846E-BCNB DDR3存储 原装现货
型号:K4B4G0846E-BCNB 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:4Gb 架构:512*8 封装:FBGA78 工厂包装数量:1120PCS
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K9F5608U0D-PIB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F5608U0D-PIB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:32M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS
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K9F5608U0D-PCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F5608U0D-PCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:32M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS
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K9F6408UOC-TCBO SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F6408UOC-TCBO 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:64M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS
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K9F5608UOB-YCBO SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F5608UOB-YCBO 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:32M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS
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K9F5608U0C-PCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F5608U0C-PCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:32M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS
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K9F1G08U0B-PIB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F1G08U0D-SIB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:128M 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS
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K9F1G08U0E-SCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F1G08U0E-SCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:128M 年份:18+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS
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K9F1G08U0D-SCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F1G08U0D-SCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:128M 年份:18+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS
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K9F1G08U0C-PCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F1G08U0C-PCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:128M 年份:18+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS
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K9F1G08U0B-PCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F1G08U0B-PCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:128M 年份:18+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS
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K4B2G1646F-BCNB 三星缓存芯片 原装现货
型号:K4B2G1646F-BCNB 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS
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K4B2G1646F-BCK0 存储DDR3 原装现货
型号:K4B2G1646F-BCK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS
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K4B2G1646Q-BCK0 原装现货 DDR
型号:K4B2G1646Q-BCK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS
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K4B2G1646Q-BYK0 存储 原装现货
型号:K4B2G1646Q-BYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS
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K4B4G0846E-BYK0 存储 原装现货
型号:K4B4G0846E-BYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:4Gb 架构:512*8 封装:FBGA78 工厂包装数量:1120PCS
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K4B2G1646F-BCK0 原装现货 DDR3
型号:K4B2G1646F-BCK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS
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K4B2G0846F-BYK0 存储 现货
型号:K4B2G0846F-BYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG84 工厂包装数量:1280PCS
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K9F2G08U0B-PIB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F2G08U0B-PIB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:256M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960pcs
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K4B2G0846F-BYMA 原装现货 存储DDR3
型号:K4B2G0846F-BYMA 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBGA78 工厂包装数量:1120PCS
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K9F1G08U0D-SIB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F1G08U0D-SIB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:128M 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS
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K9F2G08U0A-PCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F2G08U0A-PCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:256M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960pcs
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K9F2G08U0D-SCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F2G08U0D-SCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:256M 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960pcs
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K9F2G08U0C-SCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F2G08U0C-SCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:256M 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960pcs
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K9F4G08U0F-SCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F4G08U0F-SCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:512M 年份:19+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS
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K9F4G08UOA-PCBO SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F4G08UOA-PCBO 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:512M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS
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K9F2G08U0D-SIB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F2G08U0D-SIB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:256M 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS
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K9F4G08U0M-PCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9F4G08U0M-PCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:512M 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS
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K9GAG08UOE-SCBO SLC Nand FLASH 存储芯片
型号:K9GAG08UOE-SCBO 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:2GB 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS