深圳市昱创芯城电子有限公司

供应STM32H743IIT6单片机(MCU

型号/规格:STM32H743IIT6 品牌/商标:ST/意法 内存大小:32位 商品目录:通用MCU 速度:400MHz 程序存储容量:2MB(2M x 8) RAM 容量:1M x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:1.62 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

供应STM32F205VGT6单片机(MCU

型号/规格:STM32F205VGT6 品牌/商标:ST/意法 内存大小:32位 核心处理器:ARM? Cortex?-M3 速度:120MHz 程序存储容量:1MB(1M x 8) RAM容量:132K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 数据 RAM 大小:128kB 数据 ROM 大小:512B 最大时钟频率:120MHz 程序存储器类型:Flash

供应STM32F103C8T6单片机(MCU

型号/规格:STM32F103C8T6 品牌/商标:ST/意法 内存大小:32位 核心处理器:ARM? Cortex?-M3 速度:72MHz 程序存储容量:64KB(64K x 8) RAM容量:20K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) ADC分辨率:12bit 数据 RAM 大小:20kB

供应STM32F429IGT6 单片机(MCU

型号/规格:STM32F429IGT6 品牌/商标:ST/意法 内存大小:32位 核心处理器:ARM? Cortex?-M4 速度:180MHz 程序存储容量:1MB(1M x 8) RAM容量:256K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 24x12b,D/A 2x12b 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 数据 Ram 类型:SRAM

供应TPS54531DDAR DC-DC电源芯片

型号/规格:TPS54531DDAR 品牌/商标:TI（德州仪器） 封装:SOP8 批号:22+ 功能类型:降压型 输出类型:可调 输入电压:3.5V~28V 输出电压:800mV~26.04V

供应FXLS8974CFR3集成电路

型号/规格:FXLS8974CFR3 品牌/商标:NXP/恩智浦 封装:VFDFN-10 批号:22+

供应UCC28070PWR AC-DC控制器和稳压器

型号/规格:UCC28070PWR 品牌/商标:TI（德州仪器） 封装:SSOP-20 批号:22+ 包装:编带 类目:AC-DC控制器 UCC28070:二相交错 CCM PFC:控制器

供应STM32H743ZIT6单片机MCU

型号/规格:STM32H743ZIT6 品牌/商标:ST/意法 内存大小: CPU内核:ARM-M系列 CPU最大主频:480MHz 工作电压范围:1.62V~3.6V 工作温度范围:-40℃~+85℃ 程序存储容量:2MB RAM总容量:1MB EEPROM/数据 FLASH容量:2MB GPIO端口数量:114

供应ULN2803ADWR 达林顿晶体管阵列

型号:ULN2803ADWR 厂商:TI德州 封装:SOP18 晶体管类型:8 NPN 达林顿 电流 - 集电极（Ic）（最大值:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值:50V

供应TMS320F28335PGFA单片机(MCU

型号/规格:TMS320F28335PGFA 品牌/商标:TI德州 内存大小:32位 CPU最大主频:150MHz 程序存储容量:257KB 程序存储器类型:FLASH RAM总容量:34KB EEPROM/数据 FLASH容量:257KB GPIO端口数量:-

供应STM32F429IGT6单片机(MCU

型号/规格:STM32F429IGT6 品牌/商标:ST/意法 内存大小:32位 核心处理器:ARM? Cortex?-M4 速度:180MHz I/O数:140 程序存储容量:1MB(1M x 8) RAM容量:256K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 工作电源电压:1.7Vto3.6V 数据 RAM 大小:256kB 最大时钟频率:180MHz

供应STM32F407VET6单片机(MCU

型号/规格:STM32F407VET6 品牌/商标:ST/意法 内存大小:32位 速度:168MHz 封装:LQFP-100 外设:欠压检测/复位 程序存储容量:512KB(512K x 8) RAM容量:192K x 8 电压-电源（Vcc/Vdd）:1.8 V ~ 3.6 V 数据转换器:A/D 16x12b,D/A 2x12b 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 电源电压-最大:3.6V 电源电压-最小:1.8V 程序存储器大小:512kB 振荡器类型:内部

供应EP4CE75U19I7N可编程逻辑器件

型号/规格:EP4CE75U19I7N 品牌/商标:ALTERA/阿尔特 封装:BGA-484 批号:22+ 商品目录:可编程逻辑器件 包装:盘装 输出功率:- 工作温度范围:-

供应IRFR7446TRPBF场效应管

型号/规格:IRFR7446TRPBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率 栅极电压Vgs:±20V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) Pd-功率耗散(Max):98W(Tc) 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:120A

供应IRFB7534PBF 场效应管(MOSFET)

型号/规格:IRFB7534PBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:中功率 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):232A 功率(Pd):294W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,100A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.7V@250uA

供应IRFB260NPBF场效应管

型号/规格:IRFB260NPBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):56A 功率(Pd):380W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@10V,34A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA

供应IRFS7534TRLPBF 场效应管(MOSFET)

型号/规格:IRFS7534TRLPBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率 商品目录:通用MOSFET 封装:TO-263

供应MCIMX6D6AVT10AD单片机(MCU/MPU/SOC)

型号/规格:MCIMX6D6AVT10AD 品牌/商标:NXP/恩智浦 封装:FCBGA-624 批号:22+ CPU最大主频:1GHz USB:USB 2.0 + PHY(4) 电压-I/O:1.8V,2.5V,2.8V,3.3V 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)

供应OP275GSZ-REEL 运算放大器

型号:OP275GSZ-REEL 厂商:ADI/亚德诺 封装:SOP-8 商品目录:FET输入运放 放大器组数:2 增益带宽积(GBP):9MHz 压摆率(SR):22V/us 工作温度:-40℃~+85℃

热门供应IRFP26N60LPBF

型号/规格:IRFP26N60LPBF 品牌/商标:VISHAY(威世) 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:小功率 漏源极电压Vds:600V 工作温度:-55℃~150℃ Vgs(最大值):±30V Pd-功率耗散(Max):470W(Tc)

供应IRFP460APBF 场效应管

型号/规格:IRFP460APBF 品牌/商标:VISHAY(威世) 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:中功率 商品目录:通用MOSFET 连续漏极电流Id:26A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±30V Rds On(Max)@Id,Vgs:250 mOhms @ 16A,10V Vgs(th):5V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):470W(Tc) 工作温度:-55℃~150℃

供应ADS1256IDBR 模数转换芯片ADC

型号/规格:ADS1256IDBR 品牌/商标:TI德州 封装:SSOP28 批号:22+ 商品目录:模数转换芯片ADC 包装:编带

热销产品供应IRF7416TRPBF场效应管MOSFET

型号/规格:IRF7416TRPBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 连续漏极电流Id:10A 漏源极电压Vds:30V

供应1N4148G-CA2-R通用二极管

型号/规格:1N4148G-CA2-R 品牌/商标:UTC 封装形式:SOD123 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 整流电流:200mA 反向击穿电流:5uA@75V 工作温度:+175℃ 独立式 功率:400mW 直流反向耐压:(Vr)：100V 商品类目:开关二极管

供应1N5819G通用型二极管

型号/规格:1N5819G 品牌/商标:UTC 封装形式:SOD-123 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 整流电流:200mA 反向击穿电流:5uA@75V 工作温度:+175℃ 反向恢复时间:(trr)：4ns 独立式 功率:400mW 直流反向耐压:(Vr)：100V

供应MBR0540G肖特基二极管

型号/规格:MBR0540G 品牌/商标:UTC 封装形式:SOD-123 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 整流电流:(Io)：500mA 反向击穿电流:40V 正向压降(Vf):510mV@500mA 直流反向耐压:(Vr)：40V 商品类目:肖特基二极管 工作温度:+170

供应PMEG3020EH肖特二极管

型号/规格:肖特基二极管 品牌/商标:Nexperia(安世) 封装形式:SOD-123F 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 整流电流:2AA 反向电压:30VV 正向浪涌电流Ifsm:9A 反向峰值电压Vrrm:30V 正向电压Vf:0.62V 反向漏电流Ir:1mA 工作温度:-65℃~150℃

供应BFR106E632715V 210mA 三极管(BJT)

型号/规格:BFR106E6327 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 极性:NPN型 工作温度:150°C(TJ) 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:210mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:5GHz

供应BFQ19SH6327通用三极管

型号/规格:BFQ19SH6327 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOT89 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 极性:NPN型 功率耗散Pd:1W 集电极-发射极最大电压VCEO:15V 集电极连续电流:120mA 特征频率fT:5.5GHz 工作温度:-65℃~150℃ VCBO:20V

热门型号BFP 460 H6327 三极管(BJT)

型号/规格:BFP 460 H6327 三极管(BJT) 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOT-343-4 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 极性:NPN型 商品目录:RF三极管 功率耗散Pd:230mW 最大电压VCEO:4.5V 集电极连续电流:70mA 工作温度:-65℃~150℃ VEBO:1.5V

供应BFP520H6327RF晶体管

型号/规格:BFP520H6327 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOT-343 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 极性:NPN型 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 集电极—发射极最大电压 VCEO:2.5V 发射极 - 基极电压 VEBO:1V 集电极连续电流:50mA 工作频率:45GHz 功率:1/8W

供应BFP650H6327NPN 4V 150mA 三极管(BJT)

型号/规格:BFP650H6327 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOT-343 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 极性:NPN型 集电极—发射极最大电压 VCEO:4V 发射极 - 基极电压 VEBO:1.2V 集电极连续电流:150mA 工作频率:37GHz 功率:1/2W FET类型:RFSiliconGermanium

供应BFP740H6327RF晶体管

型号/规格:BFP740H6327 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOT-343 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 极性:NPN型 工作温度:-65°C ~ 150°C 功率:4/25W 工作频率:42GHz 集电极连续电流:30mA 发射极 - 基极电压 VEBO:1.2V 集电极—发射极最大电压 VCEO:4V

供应BFP760H6327NPN 4V 70mA 三极管(BJT)

型号/规格:BFP760H6327 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOT-343 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 极性:NPN型 特征频率:45GHz 工作温度:+150℃

供应BFP840ESDH63272.25V 35mA 三极管(BJT)

型号/规格:BFP840ESDH6327 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOT-343 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 极性:NPN型 VCBO:2.9V 工作温度:-55℃~150℃ 功率耗散Pd:75mW 集电极-发射极最大电压VCEO:2.25V

供应BFN27E6327通用三极管

型号/规格:BFN27E6327 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOT23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 极性:PNP型

供应BFP196E6327RF三极管

型号/规格:BFP196E6327 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOT-143 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 极性:NPN型

供应BFP420H6327RF三极管

型号/规格:BFP420H6327 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOT-343 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:中频 极性:NPN型 商品目录:RF晶体管 直流集电极/Base Gain hfe Min:60 工作温度:-65°C ~ 150°C 集电极—发射极最大电压 VCEO:4.5V