第3页_SRAM （MOS型静态存储器）_元器件产品_深圳市昱创芯城电子有限公司

企业信息

深圳市昱创芯城电子有限公司

卖家积分： 8001分-9000分

营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

企业网站：
www.szycxc.cn

企业认证

现货认证

企业档案

认证现货(100)

优势库存(758)

普通库存(80000)

集成电路(IC)(115)

电源IC(116)

半导体存储器(160)

二极管(23)

三极管(55)

场效应管MOSFET(42)

单片机(26)

>单片机MCU(26)

电位器(1)

>其他电位器(1)

电源/稳压器(20)

元器件产品

供应H5TC1G63EFR-PBA存储芯片

品牌:HYNIX海力士型号:H5TC1G63EFR-PBA 封装:BGA96 批次:21+ 包装:托盘 DDR:缓存IC 商品类目:64*16DDR3 1.35V

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供应 K4F4E3S4HF-GFCJ存储芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4F4E3S4HF-GFCJ 封装:FBGA-200 批次:21+ 包装:托盘

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供应K4F8E3S4HB-MFCJ存储芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4F8E3S4HB-MFCJ 封装:FBGA-200 批次:21+ 包装:托盘

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供应K4F8E304HB-MGCJ 预售芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4F8E304HB-MGCJ 封装:FBGA-200 批次:21+ 包装:托盘

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供应K4F8E304HB-MGCH预售储存芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4F8E304HB-MGCH 封装:FBGA-200 批次:21+ 包装:托盘

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供应K4F2E3S4HM-MFCJ存储芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4F2E3S4HM-MFCJ 封装:FBGA-200 批次:21+ 包装:托盘

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供应K4F6E3D4HB-MFCJ存储芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4F6E3D4HB-MFCJ 封装:FBGA-200 批次:21+ 包装:托盘

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供应K4F6E3S4HM-GFCL存储芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4F6E3S4HM-GFCL 封装:FBGA-200 批次:21+ 包装:托盘

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供应K4FHE3D4HM-MFCJ存储芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4FHE3D4HM-MFCJ 封装:FBGA-200 批次:21+ 包装:托盘

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品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4FBE3D4HM-GFCL 封装:FBGA-200 批次:21+ 包装:托盘

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供应K4B2G1646F-BYMA存储芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4B2G1646F-BYMA 封装:FBGA-96 批次:21+ 包装:托盘

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供应K4B2G1646F-BCMA储存芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4B2G1646F-BCMA 封装:BGA96 批次:21+ 包装:托盘

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