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5年
企业信息

深圳市昱创芯城电子有限公司

卖家积分:8001分-9000分

营业执照:已审核

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:广东 深圳

企业网站:
www.szycxc.cn

人气:386904
企业档案

相关证件:营业执照已审核 

会员类型:

会员年限:5年

李阳 QQ:3004380522

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王倩 QQ:1695685526

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陈定利 QQ:1097884025

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阿库IM:

地址:深圳市龙岗区坂田街道万科城社区百瑞达大厦C座4层503

传真:0755-23576202

E-mail:287208966@qq.com

元器件产品

FDMS86300 ON安森美IC 晶体管 单体 MOSFET

型号/规格:FDMS86300 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:8-PQFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: FET 类型:N 通道 驱动电压:8V,10V 漏源电压:80 V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:3000pcs

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FDMS0300S ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:FDMS0300S 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:8-PQFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 通道 驱动电压:4.5V,10V 漏源电压:30V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:3000pcs

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FDMS8090 ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:FDMS8090 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:8-PowerWDFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:2 N-通道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源电压:100V 功率:2.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:3000pcs

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FDG8842CZ ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:FDG8842CZ 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:6-TSSOP 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 和 P 沟道 漏源电压:30V 25V 功率:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C FET 功能:逻辑电平门 包装数量:3000pcs

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FDMC86261P ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:FDMC86261P 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:8-PowerWDFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:P通道 漏源电压:150V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:3000pcs

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FDD5810-F085 ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:FDD5810-F085 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 通道 漏源电压:60V 工作温度:-55°C ~ 175°C 包装数量:2500pcs

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FDD86581-F085 ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:FDD86581-F085 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 通道 漏源电压:60V 工作温度:-55°C ~ 175°C 包装数量:2500pcs

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FDD306P ON安森美IC 晶体管 MOSFET

型号/规格:FDD306P 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:P通道 漏源电压:12V 工作温度:-55°C ~ 175°C 包装数量:2500pcs

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FAN3224CMX ON安森美IC 低端栅极驱动器

型号/规格:FAN3224CMX 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:8-SOIC 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 供电:4.5V ~ 18V 工作温度:-40°C ~ 125°C 包装数量:2500pcs

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FDG6317NZ ON安森美IC 晶体管 2N通道MOSFET

型号/规格:FDG6317NZ 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:SC-70-6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:2 N-通道(双) 漏源电压:20V 温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:3000pcs

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FCMT125N65S3 ON安森美IC 晶体管MOSFET

型号/规格:FCMT125N65S3 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:4-PQFN 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N通道 漏源电压:650V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:3000pcs

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FDBL0260N100 ON安森美IC 晶体管FET MOSFET

型号/规格:FDBL0260N100 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:8-HPSOF 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N通道 驱动电压:10V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:2000pcs

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FDD3510H ON安森美IC 晶体管FET MOSFET

型号/规格:FDD3510H 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:TO-252-5 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 和 P 沟道,共漏 漏源电压:80V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:2500pcs

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FDD770N15A ON安森美IC 晶体管FET MOSFET

型号/规格:FDD770N15A 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N通道 漏源电压:150V 工作温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:2500pcs

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FDD86540 ON安森美IC 晶体管 N 通道MOSFET

型号/规格:FDD86540 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 FET 类型:N 通道 漏源电压:60V 温度:-55°C ~ 150°C 包装数量:2500pcs

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