深圳市昱创芯城电子有限公司

供应K4B1G1646G-BCK0存储芯片

品牌:SAMSUNG(三星) 型号:K4B1G1646G-BCK0 封装:BGA96 批次:21+ 包装:托盘

供应MT41K512M16TNA-125:E存储器

型号:MT41K512M16TNA-125:E 品 牌:micron(镁光) 封装:FBGA-96 包装:托盘

供应MT41K512M16HA-125:A存储芯片

型号:MT41K512M16HA-125:A 品 牌:micron(镁光) 封装:FBGA-96 包装:托盘 商品目录:DDR SDRAM

供应MT41K256M16TW-107:P储存芯片

型号:MT41K256M16TW-107:P 品 牌:micron(镁光) 封装:FBGA-96 商品目录:DDR SDRAM 包装:托盘.编带

供应MT41K256M16TW-107 IT:P存储芯片

型号:MT41K256M16TW-107 IT:P 品 牌:micron(镁光) 封装:FBGA-96 商品目录:DDR SDRAM 包装:托盘

供应MT41K256M16HA-125:E 存储芯片

型号:MT41K256M16HA-125:E 品 牌:micron(镁光) 封装:96-FBGA 商品目录:DDR SDRAM

供应MT41K64M16TW-107 IT:J存储芯片

型号:MT41K64M16TW-107 IT:J 品 牌:micron(镁光) 封装:FBGA-96 包装:托盘 商品目录:DDR SDRAM

供应MT47H64M16NF-25E IT:M DDR SDRAM储存

型号:MT47H64M16NF-25E IT:M 品 牌:micron(镁光) 封装:FBGA-84 包装:编带 商品目录:DDR SDRAM

供应MT47H32M16NF-25E:H DDR SDRAM储存器

型号:MT47H32M16NF-25E:H 品 牌:micron(镁光) 封装:FBGA-84 包装:编带 商品目录:DDR SDRAM

K4B2G1646F-BYMA 原装现货 特价

型号:K4B2G1646F-BYMA 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS

K4B4G1646D-BYK0 DDR3存储 原装现货

型号:K4B4G1646D-BYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:4Gb 架构:256*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS

K4B4G0846E-BYMA DDR3存储 原装现货

型号:K4B4G0846E-BYMA 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:4Gb 架构:512*8 封装:FBGA78 工厂包装数量:1120PCS

K4B4G0846E-BCNB DDR3存储 原装现货

型号:K4B4G0846E-BCNB 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:4Gb 架构:512*8 封装:FBGA78 工厂包装数量:1120PCS

K4B2G1646F-BCNB 三星缓存芯片 原装现货

型号:K4B2G1646F-BCNB 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS

K4B2G1646F-BCK0 存储DDR3 原装现货

型号:K4B2G1646F-BCK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS

K4B2G1646Q-BCK0 原装现货 DDR

型号:K4B2G1646Q-BCK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS

K4B2G1646Q-BYK0 存储 原装现货

型号:K4B2G1646Q-BYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS

K4B4G0846E-BYK0 存储 原装现货

型号:K4B4G0846E-BYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:4Gb 架构:512*8 封装:FBGA78 工厂包装数量:1120PCS

K4B2G1646F-BCK0 原装现货 DDR3

型号:K4B2G1646F-BCK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS

K4B2G0846F-BYK0 存储 现货

型号:K4B2G0846F-BYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG84 工厂包装数量:1280PCS

K4B2G0846F-BYMA 原装现货 存储DDR3

型号:K4B2G0846F-BYMA 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBGA78 工厂包装数量:1120PCS

K4T1G164QG-BCE7 原装现货 新批次

型号:K4T1G164QG-BCE7 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:1Gb 架构:64*16 封装:FBAG84 工厂包装数量:1280PCS

K4T1G164QQ-BCF7 DD2 原装现货

型号:K4T1G164QQ-BCF7 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:1Gb 架构:64*16 封装:FBAG84 工厂包装数量:1280PCS

K4T1G164QJ-BCE7 DDR存储 原装现货

型号:K4T1G164QJ-BCE7 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:1Gb 架构:64*16 封装:FBAG84 工厂包装数量:1280PCS

K4B8G1646D-MYK0 原装现货 DDR3

型号:K4B8G1646D-MYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:8Gb 架构:512*16 封装:FBGA96 工厂包装数量:1120PCS

K4B8G1646Q-MYK0 原装现货 DDR3

型号:K4B8G1646Q-MYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:8Gb 架构:512*16 封装:FBGA96 工厂包装数量:1120PCS

K4T51163QJ-BCE6 存储 原装现货

型号:K4T51163QJ-BCE6 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:512M 架构:32*16 封装:FBAG84 工厂包装数量:1280PCS

K4B4G1646E-BYMA 同步动态存储器 原装现货

厂家型号:K4B4G1646E-BYMA 品 牌:SAMSUNG（三星） 容 量:4G 架 构:512M x 8 封 装:FBGA96 工厂包装数量:1120PCS

MT41K128M16JT-125 IT:K TR 动态随机存储器

型号:MT41K128M16JT-125 品牌:Micron（镁光） 容量:2G DDR3 架构:128 M x 16 封装:FBGA-96 工厂包装数量:2000PCS

K4B2G1646F-BYK0 原装现货 DDR3

型 号:K4B2G1646F-BYK0 品 牌:SAMSUNG（三星） 容 量:2G DDR3 架 构:128 M x 16 封 装:FBGA96 工厂包装数量:1120

K4T1G164QF-BCE7 原装现货 DDR2

型号:K4T1G164QF-BCE7 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:1Gb 架构:64*16 封装:FBAG84 工厂包装数量:1280PCS

K4T51163QJ-BCE7 存储 原装现货

型号:K4T51163QJ-BCE7 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:512M 架构:32*16 封装:FBAG84 工厂包装数量:1280PCS

K4B4G1646E-BYK0 原装现货 512M x 8

型号:K4B4G1646E-BYK0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:4 Gb 架构:512M x 8 封装:FBGA96 工厂包装数量:1120PCS

K4B2G1646F-BYMA 原装现货128*16

型号:K4B2G1646F-BYMA 品牌:SAMSUNG 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS

DDR3 H5TQ2G63GFR-RDC 同步动态存储

型 号:H5TQ2G63GFR-RDC 品 牌:SK HYNIX海力士 容 量:2G DDR3 架 构:128 M x 16 封 装:FBGA96 工厂包装数量:1600