深圳市昱创芯城电子有限公司

供应MT41K256M16TW-107 IT:P存储芯片

型号:MT41K256M16TW-107 IT:P 品 牌:micron(镁光) 封装:FBGA-96 商品目录:DDR SDRAM 包装:托盘

供应MT41K128M16JT-125IT:K存储器

型号:MT41K128M16JT-125IT:K 品 牌:micron(镁光) 封装:FBGA-96 包装:托盘

供应MT41K256M16HA-125:E 存储芯片

型号:MT41K256M16HA-125:E 品 牌:micron(镁光) 封装:96-FBGA 商品目录:DDR SDRAM

供应MT48LC16M16A2P-7E-G 存储随机存取内存

型号:MT48LC16M16A2P-7E-G 品 牌:micron(镁光) 封装:TSOP-54 包装:托盘 商品目录:同步动态随机存取内存(SDRAM)

供应MT41K128M8DA-107:J存储器

型号:MT41K128M8DA-107:J 品 牌:micron(镁光) 封装:FBGA-78 工作温度:0°C ~ 95°C（TC） 存储容量:1Gb（128M x 8）

供应MT41K64M16TW-107 IT:J存储芯片

型号:MT41K64M16TW-107 IT:J 品 牌:micron(镁光) 封装:FBGA-96 包装:托盘 商品目录:DDR SDRAM

供应MT47H64M16NF-25E IT:M DDR SDRAM储存

型号:MT47H64M16NF-25E IT:M 品 牌:micron(镁光) 封装:FBGA-84 包装:编带 商品目录:DDR SDRAM

供应MT47H32M16NF-25E:H DDR SDRAM储存器

型号:MT47H32M16NF-25E:H 品 牌:micron(镁光) 封装:FBGA-84 包装:编带 商品目录:DDR SDRAM

供应MT46H16M16LFBF-6IT:H闪存处理器

型号:MT46H16M16LFBF-6IT:H 品 牌:micron(镁光) 封装:BGA60 包装:托盘 商品目录:MCU

供应MT48LC32M16A2P-75储存芯片

型号:供应MT48LC32M16A2P-75 品 牌:Micron (镁光) 封装:TSOP-54 电源电压:3V ~ 3.6V 工作温度:0℃ ~ 70℃ (TA)

供应THGBMHG9C4LBAIR 存储芯片

型号:THGBMHG9C4LBAIR 品 牌:TOSHIBA东芝 封装:P-WFBGA153 包装:托盘

供应THGAMRT0T43BAIR存储芯片

型号:THGAMRT0T43BAIR 品 牌:TOSHIBA东芝 封装:P-WFBGA153 包装:托盘

供应THGBMJG8C2LBAIL存储

型号:THGBMJG8C2LBAIL 品 牌:TOSHIBA东芝 封装:FBGA-153 包装:托盘 商品目录:eMMC

供应THGAMRG8T13BAIL存储器

型号:THGAMRG8T13BAIL 品 牌:TOSHIBA东芝 封装:P-WFBGA-153 包装:托盘

供应THGAMRG9T23BAIL存储

型号:THGAMRG9T23BAIL 品 牌:TOSHIBA东芝 封装:P-WFBGA153 包装:托盘

供应THGBMJG6C1LBAIL储存器

型号:THGBMJG6C1LBAIL 品 牌:TOSHIBA东芝 封装:P-WFBGA153 包装:托盘 类目:eMMC (1)

K4B2G1646F-BYMA 原装现货 特价

型号:K4B2G1646F-BYMA 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS

CAT1021WI-30-GT3 EEPROM存储器

型号:CAT1021WI-30-GT3 品牌:ON(安森美） 封装:SOP-8 电压 - 阈值:3V 包装数量:2000PCS

CAT24C04WI-GT3 EEPROM存储器

型号:CAT24C04WI-GT3 品牌:ON(安森美） 封装:SOP-8 电压 - 阈值:1.7V ~ 5.5V 包装数量:3000PCS

CAT24C64WI-GT3 EEPROM存储器

型号:CAT24C64WI-GT3 品牌:ON(安森美） 封装:SOP-8 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V 包装数量:3000PCS

CAT24M01WI-GT3 EEPROM（1Mb）存储

型号:CAT24M01WI-GT3 品牌:ON(安森美） 封装:SOP-8 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V 包装数量:3000PCS

K4B4G1646D-BYK0 DDR3存储 原装现货

型号:K4B4G1646D-BYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:4Gb 架构:256*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS

K4B4G0846E-BYMA DDR3存储 原装现货

型号:K4B4G0846E-BYMA 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:4Gb 架构:512*8 封装:FBGA78 工厂包装数量:1120PCS

K4B4G0846E-BCNB DDR3存储 原装现货

型号:K4B4G0846E-BCNB 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:4Gb 架构:512*8 封装:FBGA78 工厂包装数量:1120PCS

K9F5608U0D-PIB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F5608U0D-PIB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:32M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9F5608U0D-PCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F5608U0D-PCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:32M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9F6408UOC-TCBO SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F6408UOC-TCBO 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:64M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9F5608UOB-YCBO SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F5608UOB-YCBO 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:32M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9F5608U0C-PCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F5608U0C-PCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:32M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9F1G08U0B-PIB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F1G08U0D-SIB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:128M 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9F1G08U0E-SCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F1G08U0E-SCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:128M 年份:18+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9F1G08U0D-SCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F1G08U0D-SCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:128M 年份:18+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9F1G08U0C-PCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F1G08U0C-PCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:128M 年份:18+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9F1G08U0B-PCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F1G08U0B-PCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:128M 年份:18+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K4B2G1646F-BCNB 三星缓存芯片 原装现货

型号:K4B2G1646F-BCNB 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS

K4B2G1646F-BCK0 存储DDR3 原装现货

型号:K4B2G1646F-BCK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS

K4B2G1646Q-BCK0 原装现货 DDR

型号:K4B2G1646Q-BCK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS

K4B2G1646Q-BYK0 存储 原装现货

型号:K4B2G1646Q-BYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS