深圳市昱创芯城电子有限公司

K4B4G0846E-BYK0 存储 原装现货

型号:K4B4G0846E-BYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:4Gb 架构:512*8 封装:FBGA78 工厂包装数量:1120PCS

K4B2G1646F-BCK0 原装现货 DDR3

型号:K4B2G1646F-BCK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG96 工厂包装数量:1120PCS

K4B2G0846F-BYK0 存储 现货

型号:K4B2G0846F-BYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBAG84 工厂包装数量:1280PCS

K9F2G08U0B-PIB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F2G08U0B-PIB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:256M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960pcs

K4B2G0846F-BYMA 原装现货 存储DDR3

型号:K4B2G0846F-BYMA 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:FBGA78 工厂包装数量:1120PCS

K9F1G08U0D-SIB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F1G08U0D-SIB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:128M 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9F2G08U0A-PCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F2G08U0A-PCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:256M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960pcs

K9F2G08U0D-SCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F2G08U0D-SCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:256M 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960pcs

K9F2G08U0C-SCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F2G08U0C-SCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:256M 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960pcs

K9F4G08U0F-SCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F4G08U0F-SCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:512M 年份:19+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9F4G08UOA-PCBO SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F4G08UOA-PCBO 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:512M 年份:16+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9F2G08U0D-SIB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F2G08U0D-SIB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:256M 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9F4G08U0M-PCB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9F4G08U0M-PCB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:512M 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9GAG08UOE-SCBO SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9GAG08UOE-SCBO 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:2GB 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9K8G08U0F-SIB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9K8G08U0F-SIB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:1GB 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9G8G08UOA-PCBO SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9G8G08UOA-PCBO 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:1GB 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

K9K8G08U0E-SIB0 SLC Nand FLASH 存储芯片

型号:K9K8G08U0E-SIB0 品牌:SAMSUNG(三星） 容量:1GB 年份:17+ 封装:TSOP-48 工厂包装数量:960PCS

三星16G EMMC KLMAG2GEAC-B001

型号:KLMAG2GEAC-B001 品牌:三星 容量:16G 封装:FBGA 包装数量:1120

三星EMMC存储器KLMAG2GEAC-B031 16G

型号:KLMAG2GEAC-B031 品牌:三星 容量:16G 封装:FBGA 包装数量:1120

三星EMMC存储器KLMAG2WEPD-B031 16G

型号:KLMAG2WEPD-B031 品牌:三星 容量:16G 封装:FBGA 包装数量:1120

三星EMMC存储器KLMBG2JENB-B041 32G

型号:KLMBG2JENB-B041 品牌:三星 容量:32G 封装:FBGA 包装:1120

三星EMMC存储器KLMBG4GEND-B031 32G

型号:KLMBG4GEND-B031 品牌:三星 容量:32G 封装:FBGA 包装:1120

三星EMMC存储器KLMCG2KCTA-B041 64G

型号:KLMCG2KCTA-B041 品牌:三星 容量:64G 封装:FBGA 包装:1120

K4T1G164QG-BCE7 原装现货 新批次

型号:K4T1G164QG-BCE7 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:1Gb 架构:64*16 封装:FBAG84 工厂包装数量:1280PCS

K4T1G164QQ-BCF7 DD2 原装现货

型号:K4T1G164QQ-BCF7 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:1Gb 架构:64*16 封装:FBAG84 工厂包装数量:1280PCS

K4T1G164QJ-BCE7 DDR存储 原装现货

型号:K4T1G164QJ-BCE7 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:1Gb 架构:64*16 封装:FBAG84 工厂包装数量:1280PCS

K4B8G1646D-MYK0 原装现货 DDR3

型号:K4B8G1646D-MYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:8Gb 架构:512*16 封装:FBGA96 工厂包装数量:1120PCS

K4B8G1646Q-MYK0 原装现货 DDR3

型号:K4B8G1646Q-MYK0 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:8Gb 架构:512*16 封装:FBGA96 工厂包装数量:1120PCS

KLM8G1GEND-B031三星存储

型号:KLM8G1GEND-B031 品牌:三星 容量:8G 封装:FBGA153 包装:1120

K4T51163QJ-BCE6 存储 原装现货

型号:K4T51163QJ-BCE6 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:512M 架构:32*16 封装:FBAG84 工厂包装数量:1280PCS

三星KLMAG1JENB-B041 16G EMMC存储器

型号:KLMAG1JENB-B041 品牌:三星 容量:16G 封装:FBGA 包装数量:1120

K4B4G1646E-BYMA 同步动态存储器 原装现货

厂家型号:K4B4G1646E-BYMA 品 牌:SAMSUNG（三星） 容 量:4G 架 构:512M x 8 封 装:FBGA96 工厂包装数量:1120PCS

MT41K128M16JT-125 IT:K TR 动态随机存储器

型号:MT41K128M16JT-125 品牌:Micron（镁光） 容量:2G DDR3 架构:128 M x 16 封装:FBGA-96 工厂包装数量:2000PCS

K4B2G1646F-BYK0 原装现货 DDR3

型 号:K4B2G1646F-BYK0 品 牌:SAMSUNG（三星） 容 量:2G DDR3 架 构:128 M x 16 封 装:FBGA96 工厂包装数量:1120

KLM8G1WEMB-B031存储器8G EMMC

型号:KLM8G1WEMB-B031 容量:8G 封装:FBGA 包装:1120

三星KLMAG1JETD-B041存储器16G EMMC

型号:KLMAG1JETD-B041 容量:16G 品牌:三星 封装:FBGA 包装:1120

K4T1G164QF-BCE7 原装现货 DDR2

型号:K4T1G164QF-BCE7 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:1Gb 架构:64*16 封装:FBAG84 工厂包装数量:1280PCS

三星存储芯片 8G EMMC KLM8G1GETF-B041

型号:KLM8G1GETF-B041 品牌:三星 容量:8G 封装:FBGA 包装:1120